ذره بین چشمی چراغ دار PROSKIT مدل MA-014
208,000 تومان
ترانزیستور دارلینگتون ST مدل TIP122
85,000 تومان
برند:
ترانزیستور MOSFET TOSHIBA مدل 2SJ525
Transistor MOSFET TOSHIBA 2SJ525
- نوع قطبیت: P-Channel
- Vds (ولتاژ درین-سورس): 30 ولت
- Id (جریان درین): 5 آمپر
- Vgs (ولتاژ گیت-سورس): 20± ولت
- نوع پکیج: TO-251
10,000 تومان
284 در انبار
توضیح محصول
ترانزیستور MOSFET TOSHIBA مدل 2SJ525 یکی از قطعات پرکاربرد در مدارهای الکترونیک قدرت و کنترلی با جریان متوسط است که بهدلیل ساختار کانال P و پکیج TO-251، در بسیاری از طراحیهای قدیمی و حتی پروژههای صنعتی سبک همچنان استفاده میشود. این قطعه با ولتاژ کاری پایین و پاسخدهی مناسب، انتخابی قابل اعتماد برای سوئیچینگ و تقویت جریان به شمار میرود. پایداری حرارتی، سادگی در راهاندازی و دسترسی مناسب در بازار ایران، از دلایل محبوبیت آن است. در ادامه، مشخصات فنی، کاربردها و مقایسه تخصصی این MOSFET بررسی میشود.
بررسی ویژگیهای فنی ترانزیستور MOSFET TOSHIBA مدل 2SJ525
-
ساختار و نوع قطعه
این قطعه یک MOSFET کانال P است که برای کاربردهای ولتاژ پایین طراحی شده و در مدارهایی با منطق معکوس (High-Side Switching) بهخوبی عمل میکند.
-
ولتاژ و جریان کاری
حداکثر ولتاژ درین–سورس این MOSFET برابر 30 ولت و جریان عبوری مجاز آن حدود 5 آمپر است که آن را برای بارهای سبک تا متوسط مناسب میسازد.
-
ولتاژ تحریک گیت
ولتاژ گیت–سورس مجاز ±20 ولت است و در عمل با ولتاژهای پایینتر نیز بهراحتی وارد ناحیه هدایت میشود، که این موضوع طراحی مدار درایو را ساده میکند.
-
پکیج و نصب
پکیج TO-251 (DIP) باعث شده نصب، تعویض و خنککاری این قطعه ساده باشد و در بردهای سوراخدار یا تعمیرات بسیار کاربردی عمل کند.
کاربردهای رایج این MOSFET
-
مدارهای سوئیچینگ ولتاژ پایین
در مدارهای قطع و وصل بارهای DC با ولتاژ پایین، این قطعه عملکرد پایدار و قابل پیشبینی دارد.
-
منابع تغذیه ساده
در رگولاتورها و منابع تغذیه خطی یا سوئیچینگ کمقدرت، بهعنوان کلید یا عنصر کنترلی استفاده میشود.
-
مدارهای صوتی و تقویتی
به دلیل نویز کم و پاسخ مناسب، در برخی مدارهای صوتی و تقویت سیگنال نیز کاربرد دارد.
مزایای استفاده از MOSFET 2SJ525
-
راهاندازی ساده
نیاز نداشتن به درایور پیچیده گیت، این قطعه را برای پروژههای آموزشی و صنعتی سبک مناسب میکند.
-
دسترسی در بازار ایران
این مدل از قطعاتی است که همچنان در بازار قطعات الکترونیک ایران پیدا میشود.
-
پایداری حرارتی قابل قبول
در جریانهای نامی، رفتار حرارتی پایدار و قابل کنترل دارد.
معایب و محدودیتها
-
ولتاژ کاری پایین
حداکثر ولتاژ 30 ولت باعث میشود برای کاربردهای قدرت بالا مناسب نباشد.
-
جریان محدود
در مقایسه با MOSFETهای جدیدتر، توان عبوری کمتری دارد.
-
تکنولوژی قدیمیتر
در برابر MOSFETهای مدرن SMD، راندمان و چگالی توان کمتری ارائه میدهد.
مقایسه ترانزیستور MOSFET TOSHIBA مدل 2SJ525 با محصولات مشابه
در این بخش، این قطعه با سه MOSFET از برند های معتبر مقایسه میشود.
| مدل قطعه | نوع کانال | ولتاژ (VDS) | جریان (ID) | ولتاژ گیت | پکیج |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ525 – Toshiba | P-Channel | 30V | 5A | ±20V | TO-251 (DIP) |
| IRF9540 – IR | P-Channel | 100V | 23A | ±20V | TO-220 |
| FQP27P06 – ON Semi | P-Channel | 60V | 27A | ±20V | TO-220 |
| AOD4184A – Alpha & Omega | P-Channel | 40V | 12A | ±20V | TO-252 |
تحلیل مقایسه
در مقایسه با IRF9540 و FQP27P06، مشخص است که 2SJ525 از نظر ولتاژ و جریان در رده پایینتری قرار دارد، اما پکیج DIP آن برای تعمیرات و بردهای سنتی مزیت بزرگی محسوب میشود. IRF9540 برای ولتاژهای بالا مناسبتر است، در حالی که FQP27P06 توان عبوری بیشتری دارد. اگر هدف طراحی ساده، کمهزینه و ولتاژ پایین باشد، 2SJ525 همچنان انتخاب منطقیتری است.
نتیجهگیری
ترانزیستور MOSFET TOSHIBA مدل 2SJ525 گزینهای مناسب برای مدارهای ولتاژ پایین، آموزشی و صنعتی سبک است که سادگی، دسترسی و پایداری در اولویت قرار دارند. اگرچه از نظر مشخصات قدرت قابل رقابت با MOSFETهای مدرن نیست، اما در کاربردهای مشخص خود همچنان عملکردی قابل اعتماد ارائه میدهد و برای بسیاری از پروژهها انتخابی اقتصادی و منطقی محسوب میشود.
مشاهده محصول ترانزیستور ماسفت 2SJ525 در سایت رسمی کمپانی TOSHIBA
دانلود دیتاشیت ترانزیستور MOSFET TOSHIBA 2SJ525 از سایت رسمی کمپانی TOSHIBA
جدول مشخصات فنی
| نوع قطعه/خانواده قطعات | MOSFETترانزیستور اثر میدانی |
|---|---|
| نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهتگیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد. | P-channel |
| Vds (ولتاژ درین-سورس) | 30 ولت |
| Id (جریان درین)Id (جریان درین) جریان الکتریکی است که از ترمینال درین (Drain) یک ترانزیستور MOSFET عبور میکند. | 5 آمپر |
| Pd (توان تلفشده)Pd = Power Dissipation یا توان تلفشده | 1.3 وات |
| Rds(on) (مقاومت درین-سورس در حالت روشنی)Rds(on) تعیینکنندهی اصلی تلفات توان رسانایی، راندمان و نیازهای مدیریت حرارتی در مدارهای سوئیچینگ قدرت بوده و به شدت به ولتاژ گیت و دمای اتصال وابسته است. | 100 میلی اهم |
| Tj (دمای اتصال)Tj: دمای اتصال، یعنی دمای اتصال نیمههادی، که معمولاً بالاترین دما است. | 55- تا 150+ درجه سانتی گراد |
| نوع پکیج | TO-251 |
| جنس بدنه | بدنه فلزی |
| تعداد پایه ها | 3 پایه |
| جنس نیمه هادی | سیلیکون Si |
| نوع مونتاژ | THDTHD (Through-Hole Technology) فناوری از طریق سوراخ گذاری یا سوراخعمیق |
| برند محصول | Toshiba Corporation |
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.