ترانزیستور دارلینگتون ST مدل BDX54
15,000 تومان
خازن MKT NISSEI مدل 330nF 250V DC
5,000 تومان
برند:
ترانزیستور IGBT Renesas مدل RJP30H1DPD
TRANSISTOR IGBT Renesas RJP30H1DPD
- نوع قطبیت: N-Channel
- Vces (ولتاژ کلکتور-امیتر): 360 ولت
- Ic (جریان کلکتور در دمای 25 درجه سانتی گراد): 30 آمپر
- Vges (ولتاژ گیت-امیتر): 30± ولت
- نوع پکیج: TO-252 (DPAK)
42,000 تومان
13 در انبار
توضیح محصول
ترانزیستور IGBT Renesas مدل RJP30H1DPD یکی از قطعات پرکاربرد در حوزه الکترونیک قدرت است که بهدلیل ترکیب مناسب مشخصات الکتریکی، پایداری عملکرد و ابعاد فیزیکی، در طراحی بسیاری از مدارهای صنعتی مورد توجه قرار میگیرد. این قطعه با ولتاژ کاری متوسط و توان عبور جریان قابلقبول، انتخابی رایج در منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها و درایو موتور بهشمار میرود. شناخت دقیق ویژگیها، مزایا و محدودیتهای آن میتواند به طراحان و خریداران کمک کند تا تصمیمی آگاهانه و متناسب با نیاز پروژه خود بگیرند.
بررسی تخصصی ترانزیستور IGBT Renesas مدل RJP30H1DPD
این قطعه از محصولات شناختهشدهی رنساس است که برای کاربردهای توان متوسط طراحی شده و تعادل مناسبی بین مشخصات الکتریکی، ابعاد فیزیکی و پایداری عملکرد برقرار میکند.
مشخصات الکتریکی اصلی
- ولتاژ کلکتور–امیتر این قطعه برابر با 360 ولت است که آن را برای بسیاری از مدارهای صنعتی ایمن میسازد.
- جریان کلکتور در دمای 25 درجه سانتیگراد به 30 آمپر میرسد و نشاندهندهی توان عبور جریان مناسب در شرایط استاندارد است.
ولتاژ گیت–امیتر و ایمنی درایو
یکی از نکات متمایزکننده این IGBT، تحمل ولتاژ گیت–امیتر تا 30 ولت است. این ویژگی باعث میشود طراحی درایور گیت با حاشیهی اطمینان بالاتری انجام شود و قطعه در برابر نویزهای گذرای صنعتی آسیبپذیری کمتری داشته باشد.
پارامترهای زمانی سوئیچینگ
- td(on) یا زمان تأخیر در روشنشدن، کنترلشده و قابل پیشبینی است و به هماهنگی بهتر با درایور کمک میکند.
- td(off) نیز بهگونهای طراحی شده که خاموششدن قطعه بدون ناپایداری انجام شود.
- زمانهای tr و tf (افزایش و کاهش جریان) متعادل هستند و باعث کاهش تلفات سوئیچینگ در فرکانسهای کاری متداول میشوند.
ولتاژ اشباع کلکتور–امیتر
مقدار VCE(sat) پایینتر به معنی تلفات هدایتی کمتر است و این موضوع در بارهای پیوسته، نقش مهمی در بهبود راندمان کلی مدار ایفا میکند.
ویژگیهای فیزیکی و ساختاری
پکیج این قطعه TO-252 (DPAK) است که برای مونتاژ SMD بسیار مناسب محسوب میشود.
مزایای پکیج TO-252
- اشغال فضای کم روی برد
- دفع حرارت قابل قبول در طراحی صحیح PCB
- مناسب برای تولید انبوه و خطوط مونتاژ صنعتی
کاربردهای رایج در مدارهای قدرت
این IGBT به دلیل مشخصات متعادل، در حوزههای متنوعی مورد استفاده قرار میگیرد.
-
منابع تغذیه سوئیچینگ
در SMPSها، عملکرد پایدار و پارامترهای زمانی کنترلشده، نقش مهمی در کاهش نویز و افزایش بازده دارند.
-
اینورترها و مبدلها
در اینورترهای تکفاز و سهفاز با توان متوسط، این قطعه میتواند سوئیچینگ مطمئنی ارائه دهد.
-
درایو موتورهای الکتریکی
در کاربردهایی که جریان نسبتاً بالا و ولتاژ متوسط نیاز است، انتخابی منطقی به شمار میرود.
مزایای فنی و عملیاتی
-
پایداری حرارتی
رفتار مناسب در دماهای کاری متداول، ریسک خرابی را کاهش میدهد.
-
انعطاف در طراحی گیت
تحمل بالای ولتاژ گیت–امیتر، آزادی عمل بیشتری در انتخاب درایور ایجاد میکند.
-
دسترسپذیری و اصالت
محصولات رنساس معمولاً از نظر کیفیت ساخت و ثبات تولید، قابل اعتماد هستند.
معایب و محدودیتهای احتمالی
هیچ قطعهای بینقص نیست و شناخت محدودیتها به انتخاب درست کمک میکند.
-
مناسب نبودن برای توانهای بسیار بالا
برای کاربردهای ولتاژ یا جریان بسیار بالا، باید به سراغ ماژولهای قویتر رفت.
-
حساسیت به طراحی حرارتی
در صورت عدم طراحی صحیح مسیرهای مسی و هیتسینک، عملکرد ایدهآل حاصل نخواهد شد.
مقایسه ترانزیستور IGBT Renesas مدل RJP30H1DPD با محصولات مشابه
برای ارزیابی دقیقتر، این قطعه با دو مدل از برندهای معتبر و یک مدل همخانواده از Renesas مقایسه میشود.
جدول مقایسه مشخصات فنی
| مدل قطعه | ولتاژ VCE | جریان IC | پکیج | ولتاژ VGE |
|---|---|---|---|---|
| RJP30H1DPD (Renesas) | 360V | 30A | TO-252 | 30V |
| GT30J321 (Toshiba) | 350V | 30A | TO-220 | 20V |
| IKW30N60 (Infineon) | 600V | 30A | TO-247 | 20V |
| RJP30H2A (Renesas) | 360V | 35A | TO-220F | 30V |
مقایسه تحلیلی
در مقایسه با مدل توشیبا، این قطعه از نظر تحمل ولتاژ گیت–امیتر ایمنی بالاتری دارد و برای محیطهای صنعتی نویزی مناسبتر است. در برابر مدل اینفینئون، اگرچه ولتاژ کاری پایینتری دارد، اما ابعاد کوچکتر و سازگاری بیشتری با بردهای فشرده ارائه میدهد. همچنین در مقایسه با RJP30H2A، مشخص میشود که مدل TO-220F به دلیل جریان بالاتر، برای کاربردهای با توان بیشتر و مونتاژ Through-Hole مناسبتر است، در حالی که RJP30H1DPD بهواسطه پکیج TO-252 گزینهای ایدهآل برای طراحیهای SMD و مدارهای کمحجم محسوب میشود.
نتیجهگیری
با در نظر گرفتن مشخصات الکتریکی، پارامترهای زمانی، نوع پکیج و تحلیل مقایسهای انجامشده، میتوان گفت ترانزیستور IGBT Renesas مدل RJP30H1DPD انتخابی منطقی و قابل اعتماد برای مدارهای توان متوسط است. این قطعه با ایجاد تعادل میان راندمان، پایداری و ایمنی درایو گیت، میتواند بهعنوان یک گزینه مرجع در بسیاری از پروژههای صنعتی و نیمهصنعتی مورد استفاده قرار گیرد.
مشاهده محصول ترانزیستور آی جی بی تی RJP30H1DPD در سایت alltransistors
دانلود دیتاشیت ترانزیستور IGBT Renesas RJP30H1DPD از سایت alltransistors
جدول مشخصات فنی
| نوع قطعه/خانواده قطعات | IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor-ترانزیستور دو قطبی با گیت ایزوله |
|---|---|
| نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهتگیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد. | N-channel |
| Vces (ولتاژ کلکتور-امیتر)حداکثر ولتاژ مجاز بین کلکتور و امیتر در حالت خاموش | 360 ولت |
| Ic (جریان کلکتور)جریانی است که در حالت روشن ترانزیستور از ترمینال کلکتور به امیتر منتقل میشود. | 30 آمپر |
| Vges (ولتاژ گیت-امیتر)ولتاژ تحریک گیت در آی جی بی تی | ±30 ولت |
| Pd (توان تلفشده)Pd = Power Dissipation یا توان تلفشده | 40 وات |
| Vce(Sat) (ولتاژ اشباع کلکتور و امیتر)Vce(sat) (Collector-Emitter Saturation Voltage) ولتاژ بین پایههای کلکتور (C) و امیتر (E) در حالت اشباع کامل IGBT یا BJT است. | 1.5 تا 2 ولت |
| td(on) (زمان تأخیر در روشن شدن)زمان تأخیر در روشن شدن | 20 نانو ثانیه |
| تعداد پایه ها | 3 پایه |
| جنس بدنه | بدنه فلزی |
| جنس نیمه هادی | سیلیکون Si |
| نوع پکیج | TO-252 |
| نوع مونتاژ | SMTSMT (Surface Mount Technology) تکنولوژی نصب سطحی |
| برند محصول | Renesas Electronics Corporation |
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.