ترانزیستور MOSFET ROHM مدل R6020KNX
80,000 تومان
ذره بین دستی بزرگ CAMAR مدل 6907B
500,000 تومانعدد
ناموجود 
برند:
ترانزیستور MOSFET ST مدل STP10NK60Z
Transistor MOSFET ST STP10NK60Z
- نوع قطبیت: N-Channel
- Vds (ولتاژ درین-سورس): 600 ولت
- Id (جریان درین): 10 آمپر
- Vgs (ولتاژ گیت-سورس): 30± ولت
- نوع پکیج: TO-220
دارای زنر حفاظت
7,000 تومانعدد
در انبار موجود نمی باشد
توضیح محصول
ترانزیستور MOSFET ST مدل STP10NK60Z یک قطعه نیمههادی پیشرفته از شرکت STMicroelectronics است که برای سوئیچینگ در مدارهای قدرت طراحی شده و با ولتاژ ۶۰۰ ولت و جریان ۱۰ آمپر، گزینهای مناسب برای پروژههای صنعتی به شمار میرود. این قطعه از فناوری SuperMESH بهره میبرد که تلفات انرژی را کاهش میدهد و راندمان مدار را افزایش میدهد. اگر به دنبال یک MOSFET با مقاومت پایین برای منابع تغذیه یا کنترل موتور هستید، این مدل انتخاب هوشمندی است.
این ترانزیستور در پکیج TO-220 عرضه میشود و برای علاقهمندان الکترونیک که پروژههای قدرت میسازند، گزینه اقتصادی و مطمئنی به شمار میرود. در ادامه، جزئیات بیشتری از این محصول بررسی میکنیم تا تصمیمگیری آسانتر شود.
ویژگیهای فنی ترانزیستور MOSFET ST مدل STP10NK60Z
این قطعه در دسته N-channel قرار میگیرد و برای کاربردهای قدرت مناسب است. ولتاژ درین-سورس حداکثر ۶۰۰ ولت دارد که آن را برای مدارهای متوسط ایدهآل میکند. جریان درین مداوم ۱۰ آمپر در دمای ۲۵ درجه سانتیگراد، یکی از نقاط قوت آن است.
-
مشخصات الکتریکی
مقاومت درین-سورس حداکثر ۰.۷۵ اهم است که تلفات را کاهش میدهد. ظرفیت ورودی حدود ۱۲۲۰ پیکوفاراد است و سرعت سوئیچینگ را حفظ میکند. زمان افزایش و کاهش جریان سریع، عملکرد را در فرکانسهای متوسط بهبود میبخشد.
-
مشخصات حرارتی و مکانیکی
حداکثر توان تلفشده ۱۵۰ وات است و نیاز به هیتسینک مناسب دارد. پکیج TO-220 نصب سادهای ارائه میدهد و مقاومت حرارتی اتصال به کیس ۰.۸۳ درجه بر وات است. ابعاد استاندارد و وزن کم، آن را برای فضاهای محدود مناسب میسازد.
کاربردهای ترانزیستور MOSFET ST STP10NK60Z
این قطعه در مدارهای الکترونیکی متنوع استفاده میشود و قدرت بالای آن، گزینهای محبوب برای طراحان است. در سیستمهای سوئیچینگ مانند درایورهای موتور عملکرد عالی دارد. همچنین، در اینورترها و کنترلرهای قدرت کاربرد دارد.
-
در مدارهای قدرت
برای منابع تغذیه سوئیچینگ ایدهآل است و جریان بالا را مدیریت میکند. در کنترل سرعت موتورها، نقش کلیدی ایفا میکند و راندمان را افزایش میدهد.
-
در سیستمهای خودرو و صنعتی
در خودروهای الکتریکی، برای کنترل باتری استفاده میشود و تحمل شرایط سخت دارد. در رباتیک صنعتی، برای درایورهای موتور به کار میرود و دقت را بهبود میبخشد.
مزایای ترانزیستور ماسفت STP10NK60Z
با ویژگیهای برتر، انتخابی هوشمند برای پروژههای الکترونیکی است و مزایای زیادی نسبت به مدلهای قدیمی دارد. راندمان بالا و هزینه مناسب ارائه میدهد. همچنین، دوام آن در شرایط مختلف برجسته است.
-
راندمان انرژی و سرعت سوئیچینگ
با مقاومت پایین، تلفات حرارتی را کاهش میدهد و در مدارهای کنترل پهنای پالس کارآمد است. سرعت سوئیچینگ سریع آن را برای فرکانسهای بالا مناسب میکند.
-
دوام و ایمنی
با حفاظت داخلی در برابر شکست ولتاژ، دوام بالایی دارد و در محیطهای سخت عمر طولانی ارائه میدهد. نیاز کم به مدارهای پیچیده، نصب را ساده میکند.
معایب ترانزیستور ماسفت ST مدل STP10NK60Z
هرچند مزایای زیادی دارد، اما مانند هر قطعهای محدودیتهایی هم وجود دارد که باید در طراحی مدارها در نظر گرفته شود. در برخی شرایط چالشبرانگیز است. همچنین، هزینه آن نسبت به گزینههای سادهتر بالاتر است.
-
حساسیت به حرارت و ولتاژ بیش از حد
به دمای بالا حساس است و نیاز به هیتسینک دارد. در ولتاژهای بالاتر از ۶۰۰ ولت، ممکن است آسیب ببیند.
-
هزینه نسبت به مدلهای سادهتر
قیمت کمی بالاتر از MOSFETهای پایه است و برای پروژههای کمهزینه، گزینههایی مانند IRF840 ترجیح داده میشود. مدیریت حرارت در جریان بالا پیچیده است.
مقایسه ترانزیستور ماسفت STP10NK60Z با سه محصول مشابه
این مدل را با سه مدل مشابه مانند IRF840، FQP10N60C و IXFH10N60 مقایسه میکنیم تا تفاوتها روشن شود. مقایسه بر اساس مشخصات فنی مانند ولتاژ، جریان و مقاومت انجام شده و به طراحان کمک میکند.
با ولتاژ ۶۰۰ ولت و جریان ۱۰ آمپر، در رده قدرت متوسط قرار میگیرد، در حالی که IRF840 با ولتاژ ۵۰۰ ولت و جریان ۸ آمپر برای کاربردهای سبکتر مناسب است. FQP10N60C با ولتاژ ۶۰۰ ولت و جریان ۱۰ آمپر شبیه است، اما مقاومت بالاتری (۰.۸ اهم) دارد. IXFH10N60 با ولتاژ ۶۰۰ ولت و جریان ۱۰ آمپر، سرعت سوئیچینگ مشابهی ارائه میدهد اما توان تلفشده کمتری (۱۸۰ وات) دارد.
| مدل | ولتاژ درین-سورس (V) | جریان درین (A) | مقاومت درین-سورس (Ω) | توان تلفشده (W) | کاربرد اصلی |
|---|---|---|---|---|---|
| STP10NK60Z | ۶۰۰ | ۱۰ | ۰.۷۵ | ۱۵۰ | منابع تغذیه، موتورها |
| IRF840 | ۵۰۰ | ۸ | ۰.۸۵ | ۱۲۵ | سوئیچینگ عمومی |
| FQP10N60C | ۶۰۰ | ۱۰ | ۰.۸ | ۱۵۶ | کنترل قدرت |
| IXFH10N60 | ۶۰۰ | ۱۰ | ۰.۷ | ۱۸۰ | مدارهای صنعتی |
تحلیل مقایسه
در تحلیل مقایسه، در مقاومت پایین برتری دارد و نسبت به IRF840 راندمان بهتری نشان میدهد، اما ولتاژ مشابهی دارد. FQP10N60C برای کاربردهای مشابه مناسب است، اما جریان و توان شبیه آن کارآمدتر است. IXFH10N60 نزدیکترین رقیب است، اما با توان بالاتر، گزینه قویتری برای پروژههای سنگین محسوب میشود. در نهایت، انتخاب بستگی به نیاز مدار دارد و در تستهای عملی، حرارت کمتری نسبت به IRF840 تولید میکند.
نتیجهگیری
با ترکیب قدرت و راندمان، انتخابی عالی برای علاقهمندان الکترونیک است و در پروژههای مختلف عملکرد خوبی نشان میدهد. اگر به دنبال قطعهای مطمئن هستید، آن را امتحان کنید و از مزایایش بهره ببرید. ارزش خرید بالایی دارد و میتواند مدارهای شما را ارتقا دهد.
مشاهده محصول ترانزیستور ماسفت STP10NK60Z در سایت رسمی کمپانی ST
دانلود دیتاشیت ترانزیستور MOSFET ST STP10NK60Z از سایت رسمی کمپانی ST
جدول مشخصات فنی
| نوع قطعه/خانواده قطعات | MOSFETترانزیستور اثر میدانی |
|---|---|
| نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهتگیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد. | N-channel |
| Vds (ولتاژ درین-سورس) | 600 ولت |
| Id (جریان درین)Id (جریان درین) جریان الکتریکی است که از ترمینال درین (Drain) یک ترانزیستور MOSFET عبور میکند. | 10 آمپر |
| Pd (توان تلفشده)Pd = Power Dissipation یا توان تلفشده | 125 وات |
| Rds(on) (مقاومت درین-سورس در حالت روشنی)Rds(on) تعیینکنندهی اصلی تلفات توان رسانایی، راندمان و نیازهای مدیریت حرارتی در مدارهای سوئیچینگ قدرت بوده و به شدت به ولتاژ گیت و دمای اتصال وابسته است. | 650 میلی اُهم |
| Tj (دمای اتصال)Tj: دمای اتصال، یعنی دمای اتصال نیمههادی، که معمولاً بالاترین دما است. | 55- تا 150+ درجه سانتی گراد |
| نوع پکیج | TO-220 |
| جنس بدنه | بدنه فلزی |
| تعداد پایه ها | 3 پایه |
| جنس نیمه هادی | سیلیکون Si |
| نوع مونتاژ | THDTHD (Through-Hole Technology) فناوری از طریق سوراخ گذاری یا سوراخعمیق |
| برند محصول | STmicroelectronics |
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.