ترانزیستور MOSFET TOSHIBA مدل 2SJ525
10,000 تومان
ترانزیستور MOSFET IR مدل IRF1407
85,000 تومان
09106695912
85,000 تومان
58 در انبار
ترانزیستور دارلینگتون ST مدل TIP122
مشاهده محصول ترانزیستور دارلینگتون TIP122 در سایت رسمی کمپانی ST
دانلود دیتاشیت ترانزیستور DARLINGTON ST TIP122 از سایت رسمی کمپانی ST
برای دیدن محصول ترانزیستور دارلینگتون ST مدل BDX54 اینجا مراجعه نمایید.
| نوع قطعه/خانواده قطعات | Darlingtonترانزیستور دوقطبی تقویتشده با اتصال دو ترانزیستور |
|---|---|
| نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهتگیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد. | NPN |
| Vceo (ولتاژ کلکتور امیتر)Vceo در ترانزیستورها نشاندهنده حداکثر ولتاژ مجاز بین کلکتور و امیتر با بیس باز است. | 100 ولت |
| Ic (جریان کلکتور)جریانی است که در حالت روشن ترانزیستور از ترمینال کلکتور به امیتر منتقل میشود. | 5 آمپر |
| R1مقاومت R1: بین پایه بیس ترانزیستور اول (B1) و امیتر ترانزیستور اول (E1) وصل میشود. هدف: تخلیه بارهای باقیمانده و جلوگیری از روشنشدن ناخواسته ترانزیستور اول توسط جریان نشتی. | 5 کیلو اُهم |
| R2مقاومت R2: بین امیتر ترانزیستور اول (E1) و بیس ترانزیستور دوم (B2) متصل میشود. هدف: بهبود پایداری حرارتی و کاهش حساسیت به جریان نشتی در ترانزیستور دوم. | 150 اُهم |
| hfe یا β (بهره جریان DC)بهره جریان DC یا hfe این پارامتر نشاندهنده نسبت جریان کلکتور (Ic) به جریان بیس (Ib) در حالت DC (جریان مستقیم) است. به عبارت ساده، hfe مشخص میکند که ترانزیستور تا چه حد میتواند جریان ورودی کوچک در بیس را به جریان بزرگتر در کلکتور تقویت کند. | 1000 |
| Tj (دمای اتصال)Tj: دمای اتصال، یعنی دمای اتصال نیمههادی، که معمولاً بالاترین دما است. | 65- تا 150+ درجه سانتی گراد |
| تعداد پایه ها | 3 پایه |
| جنس بدنه | بدنه فلزی |
| جنس نیمه هادی | سیلیکون Si |
| نوع پکیج | TO-220 |
| نوع مونتاژ | THDTHD (Through-Hole Technology) فناوری از طریق سوراخ گذاری یا سوراخعمیق |
| برند محصول | STmicroelectronics |
هنوز حساب کاربری ندارید؟
ایجاد حساب کاربری
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.