ترانزیستور دارلینگتون ST مدل TIP122
85,000 تومان
دیود TVS Vishay مدل P6KE200A
10,000 تومان
09106695912
85,000 تومان
46 در انبار
ترانزیستور MOSFET IR مدل IRF1407 یک قطعه الکترونیکی پیشرفته از شرکت International Rectifier (حالا بخشی از Infineon) است که برای سوئیچینگ سریع و کنترل جریان بالا طراحی شده و با ولتاژ ۷۵ ولت و جریان ۱۳۰ آمپر، گزینهای عالی برای پروژههای صنعتی به شمار میرود. این قطعه از فناوری HEXFET بهره میبرد که مقاومت پایین و راندمان بالا را تضمین میکند و در پکیج TO-220 عرضه میشود تا نصب آسان داشته باشد. اگر به دنبال یک MOSFET با تلفات کم برای درایور موتور یا منابع تغذیه هستید، این مدل انتخاب هوشمندی است. در ادامه، جزئیات بیشتری بررسی میشود تا تصمیمگیری آسانتر شود.
این قطعه در دسته N-channel قرار میگیرد و برای کاربردهای قدرت مناسب است. ولتاژ درین-سورس حداکثر ۷۵ ولت دارد که آن را برای مدارهای متوسط ایدهآل میکند. جریان درین مداوم ۱۳۰ آمپر در دمای ۲۵ درجه سانتیگراد، یکی از نقاط قوت آن است.
مقاومت درین-سورس تنها ۶.۹ میلیاهم دارد که تلفات را کاهش میدهد. ظرفیت ورودی حدود ۵۴۸۰ پیکوفاراد است و سرعت سوئیچینگ را حفظ میکند. بهره gate charge پایین (۱۶۰ نانوکولن) نیز کارایی را افزایش میدهد.
حداکثر توان تلفشده ۳۳۰ وات است و نیاز به هیتسینک مناسب دارد. پکیج TO-220AB نصب سادهای ارائه میدهد و مقاومت حرارتی اتصال به کیس ۰.۴۵ درجه بر وات است. ابعاد استاندارد و وزن کم، آن را برای فضاهای محدود مناسب میسازد.
این قطعه در مدارهای الکترونیکی متنوع استفاده میشود و قدرت بالای آن، گزینهای محبوب برای طراحان است. در سیستمهای سوئیچینگ مانند درایورهای موتور DC عملکرد عالی دارد. همچنین، در اینورترها و کنترلرهای قدرت کاربرد دارد.
برای منابع تغذیه سوئیچینگ ایدهآل است و جریان بالا را مدیریت میکند. در کنترل سرعت موتورهای براشلس، نقش کلیدی ایفا میکند و راندمان را تا ۹۵ درصد میرساند.
در خودروهای الکتریکی، برای کنترل باتری استفاده میشود و تحمل حرارتی آن مناسب محیطهای سخت است. در رباتیک صنعتی، برای درایورهای سروو موتورها به کار میرود و دقت را بهبود میبخشد.
این ترانزیستور با ویژگیهای برتر، انتخابی هوشمند برای پروژههای الکترونیکی است و مزایای زیادی نسبت به مدلهای قدیمی دارد. راندمان بالا و هزینه مناسب ارائه میدهد. همچنین، دوام آن در شرایط مختلف برجسته است.
با مقاومت پایین، تلفات حرارتی را کاهش میدهد و در مدارهای کنترل پهنای پالس کارآمد است. سرعت سوئیچینگ سریع (کمتر از ۱۰۰ نانوثانیه) آن را برای فرکانسهای بالا مناسب میکند.
با حفاظت داخلی در برابر شکست ولتاژ بالا، دوام بالایی دارد و در محیطهای سخت عمر طولانی ارائه میدهد. نیاز کم به درایور پیچیده، نصب را ساده میکند.
هرچند مزایای زیادی دارد، اما مانند هر قطعهای محدودیتهایی هم وجود دارد که باید در طراحی مدارها در نظر گرفته شود. در برخی شرایط چالشبرانگیز است. همچنین، هزینه آن نسبت به گزینههای سادهتر بالاتر است.
به تخلیه الکترواستاتیک حساس است و نیاز به حفاظت دارد. در ولتاژهای بالاتر از ۷۵ ولت، ممکن است آسیب ببیند.
قیمت کمی بالاتر از MOSFETهای پایه است و برای پروژههای کمهزینه، گزینههایی مانند IRF540 ترجیح داده میشود. حرارت در جریان بالا نیاز به هیتسینک بزرگ دارد.
این مدل را با سه مدل مشابه مانند IRF540، IRF840 و IRF1405 مقایسه میکنیم تا تفاوتها روشن شود. مقایسه بر اساس مشخصات فنی مانند ولتاژ، جریان و مقاومت انجام شده و به طراحان کمک میکند.
با ولتاژ ۷۵ ولت و جریان ۱۳۰ آمپر، در رده قدرت متوسط قرار میگیرد، در حالی که IRF540 با ولتاژ ۱۰۰ ولت و جریان ۳۳ آمپر برای کاربردهای سبکتر مناسب است. IRF840 با ولتاژ ۵۰۰ ولت و جریان ۸ آمپر برای مدارهای ولتاژ بالا ایدهآل است، اما راندمان کمتری در جریان بالا نشان میدهد. IRF1405 با ولتاژ ۵۵ ولت و جریان ۱۶۹ آمپر شبیه است، اما مقاومت پایینتری (۵.۳ میلیاهم) دارد.
| مدل | ولتاژ درین-سورس (V) | جریان درین (A) | مقاومت R_DS(on) (mΩ) | توان تلفشده (W) | کاربرد اصلی |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF1407 | ۷۵ | ۱۳۰ | ۶.۹ | ۳۳۰ | درایور موتور، SMPS |
| IRF540 | ۱۰۰ | ۳۳ | ۴۴ | ۱۵۰ | سوئیچینگ عمومی |
| IRF840 | ۵۰۰ | ۸ | ۸۵۰ | ۱۲۵ | مدارهای فشار بالا |
| IRF1405 | ۵۵ | ۱۶۹ | ۵.۳ | ۲۰۰ | باتری و قدرت بالا |
تحلیل مقایسه
در تحلیل مقایسه، در جریان بالا برتری دارد و نسبت به IRF540 راندمان بهتری نشان میدهد، اما ولتاژ پایینتر آن محدودیت ایجاد میکند. IRF840 برای کاربردهای ولتاژ بالا مناسب است، اما جریان کمتری تحمل میکند و در مدارهای متوسط قدرت کارآمدتر است. IRF1405 نزدیکترین رقیب است، اما با تعادل ولتاژ و جریان، گزینه اقتصادیتری برای پروژههای دستساز محسوب میشود. در نهایت، انتخاب بستگی به نیاز مدار دارد و در تستهای عملی، حرارت کمتری نسبت به IRF540 تولید میکند.
نتیجهگیری
ترانزیستور MOSFET IR مدل IRF1407 با ترکیب قدرت و راندمان، انتخابی عالی برای علاقهمندان الکترونیک است و در پروژههای مختلف عملکرد خوبی نشان میدهد. اگر به دنبال قطعهای مطمئن هستید، آن را امتحان کنید و از مزایایش بهره ببرید. ارزش خرید بالایی دارد و میتواند مدارهای شما را ارتقا دهد.
مشاهده محصول ترانزیستور ماسفت IRF1407 در سایت رسمی کمپانی Infineon
دانلود دیتاشیت ترانزیستور MOSFET IR IRF1407 از سایت رسمی کمپانی Infineon
| نوع قطعه/خانواده قطعات | MOSFETترانزیستور اثر میدانی |
|---|---|
| نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهتگیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد. | N-channel |
| Vds (ولتاژ درین-سورس) | 75 ولت |
| Id (جریان درین)Id (جریان درین) جریان الکتریکی است که از ترمینال درین (Drain) یک ترانزیستور MOSFET عبور میکند. | 130 آمپر |
| Pd (توان تلفشده)Pd = Power Dissipation یا توان تلفشده | 330 وات |
| Rds(on) (مقاومت درین-سورس در حالت روشنی)Rds(on) تعیینکنندهی اصلی تلفات توان رسانایی، راندمان و نیازهای مدیریت حرارتی در مدارهای سوئیچینگ قدرت بوده و به شدت به ولتاژ گیت و دمای اتصال وابسته است. | 7.8 میلی اُهم |
| Tj (دمای اتصال)Tj: دمای اتصال، یعنی دمای اتصال نیمههادی، که معمولاً بالاترین دما است. | تا 175 درجه سانتی گراد |
| نوع پکیج | TO-220 |
| جنس بدنه | بدنه فلزی |
| تعداد پایه ها | 3 پایه |
| جنس نیمه هادی | سیلیکون Si |
| نوع مونتاژ | THDTHD (Through-Hole Technology) فناوری از طریق سوراخ گذاری یا سوراخعمیق |
| برند محصول | IR International Rectifier |
هنوز حساب کاربری ندارید؟
ایجاد حساب کاربری
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.