برند: IR International Rectifier

ترانزیستور MOSFET IR مدل MTP6P60

ترانزیستور MOSFET IR مدل MTP6P60

توضیح محصول

ترانزیستور MOSFET IR مدل MTP6P60

جدول مشخصات فنی

نوع قطعه/خانواده قطعاتMOSFETترانزیستور اثر میدانی
نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهت‌گیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد.N-channel
Vds (ولتاژ درین-سورس)600 ولت
Id (جریان درین)Id (جریان درین) جریان الکتریکی است که از ترمینال درین (Drain) یک ترانزیستور MOSFET عبور می‌کند.6 آمپر
Pd (توان تلف‌شده)Pd = Power Dissipation یا توان تلف‌شده125 وات
Tj (دمای اتصال)Tj: دمای اتصال، یعنی دمای اتصال نیمه‌هادی، که معمولاً بالاترین دما است.55- تا 150+ درجه سانتی گراد
نوع پکیجTO-220
جنس بدنهبدنه فلزی
تعداد پایه ها3 پایه
جنس نیمه هادیسیلیکون Si
نوع مونتاژTHDTHD (Through-Hole Technology) فناوری از طریق سوراخ گذاری یا سوراخ‌عمیق
برند محصول

دیدگاه ها

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “ترانزیستور MOSFET IR مدل MTP6P60”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *