خازن الکترولیت Elite مدل 1000uF 16V
12,000 تومان
ترانزیستور دارلینگتون ST مدل BDX54
15,000 تومان
برند:
ترانزیستور IGBT ON مدل FGH60N60SMD
TRANSISTOR IGBT ON FGH60N60SMD
- نوع قطبیت: N-Channel
- Vces (ولتاژ کلکتور-امیتر): 600 ولت
- Ic (جریان کلکتور در دمای 25 درجه سانتی گراد): 60 آمپر
- Vges (ولتاژ گیت-امیتر): 20± ولت
- نوع پکیج: TO-247
550,000 تومان
107 در انبار
توضیح محصول
ترانزیستور IGBT ON مدل FGH60N60SMD
مشاهده محصول ترانزیستور آی جی بی تی FGH60N60SMD در سایت رسمی کمپانی ON
دانلود دیتاشیت ترانزیستور IGBT ON FGH60N60SMD از سایت رسمی کمپانی ON
جدول مشخصات فنی
| نوع قطعه/خانواده قطعات | IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor-ترانزیستور دو قطبی با گیت ایزوله |
|---|---|
| نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهتگیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد. | N-channel |
| Vces (ولتاژ کلکتور-امیتر)حداکثر ولتاژ مجاز بین کلکتور و امیتر در حالت خاموش | 600 ولت |
| Ic (جریان کلکتور)جریانی است که در حالت روشن ترانزیستور از ترمینال کلکتور به امیتر منتقل میشود. | 60 آمپر |
| Vges (ولتاژ گیت-امیتر)ولتاژ تحریک گیت در آی جی بی تی | ±20 ولت |
| Pd (توان تلفشده)Pd = Power Dissipation یا توان تلفشده | 300 وات |
| Vce(Sat) (ولتاژ اشباع کلکتور و امیتر)Vce(sat) (Collector-Emitter Saturation Voltage) ولتاژ بین پایههای کلکتور (C) و امیتر (E) در حالت اشباع کامل IGBT یا BJT است. | 1.8 ولت |
| td(on) (زمان تأخیر در روشن شدن)زمان تأخیر در روشن شدن | 22 تا 29 نانو ثانیه |
| تعداد پایه ها | 3 پایه |
| جنس بدنه | بدنه فلزی |
| جنس نیمه هادی | سیلیکون Si |
| نوع پکیج | TO-247 |
| نوع مونتاژ | THDTHD (Through-Hole Technology) فناوری از طریق سوراخ گذاری یا سوراخعمیق |
| برند محصول | ON Semiconductor |
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.