ترانزیستور BJT PHILIPS مدل BC557C
5,000 تومانعدد
ذره بین چشمی چراغ دار PROSKIT مدل MA-014
208,000 تومان
09106695912
150,000 تومان
200 در انبار
ترانزیستور دارلینگتون NEC مدل 2SD1296 یکی از قطعات پرکاربرد در مدارهایی است که نیاز به تقویت جریان بالا با سیگنال کنترلی ضعیف دارند. این ترانزیستور بهواسطه ساختار دارلینگتون، امکان راهاندازی بارهای سنگین را با طراحی سادهتر فراهم میکند. استفاده گسترده آن در تجهیزات صنعتی، مدارهای کنترلی و برخی سیستمهای صوتی، نشاندهنده پایداری و عملکرد قابلقبول این قطعه در طول زمان است. در ادامه، این ترانزیستور را از نظر فنی، کاربردی و مقایسهای بررسی میکنیم.
این قطعه در دسته ترانزیستورهای دارلینگتون NPN قرار میگیرد و برای افزایش بهره جریان طراحی شده است.
اتصال دو ترانزیستور بهصورت دارلینگتون باعث میشود جریان خروجی چندین برابر جریان ورودی باشد و نیاز به تقویتکنندههای اضافی کاهش یابد.
بهدلیل همین ساختار، افت ولتاژ بیس–امیتر بیشتر از ترانزیستورهای تکی است، اما در مقابل کنترل جریان بسیار سادهتر انجام میشود.
این قطعه از نظر مشخصات الکتریکی برای کاربردهای نیمهقدرت و صنعتی طراحی شده است.
مقدار hFE بالا، امکان استفاده از سیگنالهای کنترلی ضعیف را فراهم میکند.
در محدوده کاری استاندارد، قطعه میتواند جریان قابلتوجهی را بدون ناپایداری عبور دهد.
در شرایط کاری صحیح، رفتار الکتریکی قطعه یکنواخت و قابل پیشبینی است.
بهدلیل ویژگیهای ساختاری، این ترانزیستور در حوزههای مختلفی استفاده میشود.
در راهاندازی رلهها، سلونوئیدها و بارهای مشابه، این قطعه انتخابی متداول است.
در طبقات خروجی که نیاز به تقویت جریان وجود دارد، عملکرد مناسبی ارائه میدهد.
در برخی طراحیهای صوتی کلاسیک، از این ترانزیستور برای راهاندازی بار خروجی استفاده شده است.
استفاده از این قطعه مزایای مشخصی برای طراح به همراه دارد.
نیاز کمتر به جریان بیس باعث کاهش پیچیدگی بخش کنترلی میشود.
در تعمیر و بازطراحی مدارهای قدیمی، جایگزینی آن آسان است.
کیفیت ساخت NEC باعث شده این قطعه در کاربردهای طولانیمدت قابل اعتماد باشد.
شناخت نقاط ضعف، از بروز خطا در طراحی جلوگیری میکند.
ساختار دارلینگتون باعث افزایش افت ولتاژ در مسیر جریان میشود.
در جریانهای بالا، دفع حرارت مناسب اهمیت زیادی دارد.
عملکرد حرارتی نقش مهمی در طول عمر قطعه دارد.
در کاربردهای پیوسته، نصب هیتسینک توصیه میشود.
افزایش دما میتواند باعث افزایش تلفات و کاهش راندمان شود.
برای درک بهتر جایگاه این قطعه، آن را با دو مدل همرده از برندهای معتبر مقایسه میکنیم.
جدول مقایسه فنی با مدلهای مشابه
| مدل ترانزیستور | برند | نوع | بهره جریان | کاربرد شاخص |
|---|---|---|---|---|
| 2SD1296 | NEC | دارلینگتون NPN | بسیار بالا | صنعتی / کنترلی |
| TIP122 | ST | دارلینگتون NPN | بالا | عمومی / آموزشی |
| D718 | Toshiba | دارلینگتون NPN | بالا | تقویت توان |
تحلیل مقایسهای
در مقایسه با TIP122، این قطعه از نظر کیفیت ساخت و پایداری در کاربردهای صنعتی برتری دارد. نسبت به مدل توشیبا، عملکرد آن در شرایط کاری مداوم قابل رقابت بوده و در بسیاری از مدارها بدون نیاز به تغییر اساسی در طراحی قابل استفاده است. همین موضوع باعث شده ترانزیستور دارلینگتون NEC مدل 2SD1296 همچنان بهعنوان گزینهای مطمئن در پروژههای مختلف مطرح باشد.
برای دیدن محصول ترانزیستور دارلینگتون ST مدل TIP122 اینجا مراجعه نمایید.
نتیجهگیری
این ترانزیستور انتخابی مناسب برای مدارهایی است که به تقویت جریان بالا با طراحی ساده نیاز دارند. بهره جریان زیاد، رفتار پایدار و سازگاری با کاربردهای صنعتی و آنالوگ، از مهمترین دلایل محبوبیت آن محسوب میشود. با درنظرگرفتن مدیریت حرارتی و افت ولتاژ ذاتی ساختار دارلینگتون، میتوان از این قطعه با اطمینان در پروژههای مختلف استفاده کرد.
مشاهده محصول ترانزیستور دارلینگتون 2SD1296 در سایت littlediode
دانلود دیتاشیت ترانزیستور DARLINGTON NEC 2SD1296 از سایت littlediode
| نوع قطعه/خانواده قطعات | Darlingtonترانزیستور دوقطبی تقویتشده با اتصال دو ترانزیستور |
|---|---|
| نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهتگیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد. | NPN |
| Vceo (ولتاژ کلکتور امیتر)Vceo در ترانزیستورها نشاندهنده حداکثر ولتاژ مجاز بین کلکتور و امیتر با بیس باز است. | 100 ولت |
| Ic (جریان کلکتور)جریانی است که در حالت روشن ترانزیستور از ترمینال کلکتور به امیتر منتقل میشود. | 15 آمپر |
| R1مقاومت R1: بین پایه بیس ترانزیستور اول (B1) و امیتر ترانزیستور اول (E1) وصل میشود. هدف: تخلیه بارهای باقیمانده و جلوگیری از روشنشدن ناخواسته ترانزیستور اول توسط جریان نشتی. | 1.1 کیلو اُهم |
| R2مقاومت R2: بین امیتر ترانزیستور اول (E1) و بیس ترانزیستور دوم (B2) متصل میشود. هدف: بهبود پایداری حرارتی و کاهش حساسیت به جریان نشتی در ترانزیستور دوم. | 140 اُهم |
| hfe یا β (بهره جریان DC)بهره جریان DC یا hfe این پارامتر نشاندهنده نسبت جریان کلکتور (Ic) به جریان بیس (Ib) در حالت DC (جریان مستقیم) است. به عبارت ساده، hfe مشخص میکند که ترانزیستور تا چه حد میتواند جریان ورودی کوچک در بیس را به جریان بزرگتر در کلکتور تقویت کند. | 4000 تا 10000 |
| Tj (دمای اتصال)Tj: دمای اتصال، یعنی دمای اتصال نیمههادی، که معمولاً بالاترین دما است. | 55- تا 150+ درجه سانتی گراد |
| تعداد پایه ها | 3 پایه |
| جنس بدنه | بدنه فلزی |
| جنس نیمه هادی | سیلیکون Si |
| نوع پکیج | TO-247 |
| نوع مونتاژ | THDTHD (Through-Hole Technology) فناوری از طریق سوراخ گذاری یا سوراخعمیق |
| برند محصول | NEC Electronics |
هنوز حساب کاربری ندارید؟
ایجاد حساب کاربری
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.