بازگشت به محصولات
ترانزیستور MOSFET ST مدل UTC2N60L
15,000 تومان
ناموجود 
برند:
ترانزیستور MOSFET ST مدل STF13N60M2
ترانزیستور MOSFET ST مدل STF13N60M2
دارای زنر حفاظت
50,000 تومان
در انبار موجود نمی باشد
توضیح محصول
ترانزیستور MOSFET ST مدل STF13N60M2
دارای زنر حفاظت
جدول مشخصات فنی
| نوع قطعه/خانواده قطعات | MOSFETترانزیستور اثر میدانی |
|---|---|
| نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهت‌گیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد. | N-channel |
| Vds (ولتاژ درین-سورس) | 600 ولت |
| Id (جریان درین)Id (جریان درین) جریان الکتریکی است که از ترمینال درین (Drain) یک ترانزیستور MOSFET عبور می‌کند. | 11 آمپر |
| Pd (توان تلف‌شده)Pd = Power Dissipation یا توان تلف‌شده | 25 وات |
| Rds(on) (مقاومت درین-سورس در حالت روشنی)Rds(on) تعیین‌کننده‌ی اصلی تلفات توان رسانایی، راندمان و نیازهای مدیریت حرارتی در مدارهای سوئیچینگ قدرت بوده و به شدت به ولتاژ گیت و دمای اتصال وابسته است. | 350 میلی اهم |
| Tj (دمای اتصال)Tj: دمای اتصال، یعنی دمای اتصال نیمه‌هادی، که معمولاً بالاترین دما است. | 55- تا 150+ درجه سانتی گراد |
| نوع پکیج | TO-220F |
| جنس بدنه | بدنه عایق |
| تعداد پایه ها | 3 پایه |
| جنس نیمه هادی | سیلیکون Si |
| نوع مونتاژ | THDTHD (Through-Hole Technology) فناوری از طریق سوراخ گذاری یا سوراخ‌عمیق |
| برند محصول | STmicroelectronics |
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.