ترانزیستور MOSFET Infenion مدل 60R125F7=IPP60R125CFD7
120,000 تومان
ترانزیستور MOSFET IXYS مدل IXTR15N10
10,400 تومان
ترانزیستور MOSFET INFINEON مدل IRFZ44N های کپی
45,000 تومان
در انبار موجود نمی باشد
ترانزیستور MOSFET INFINEON مدل IRFZ44N های کپی
| نوع قطعه/خانواده قطعات | MOSFETترانزیستور اثر میدانی |
|---|---|
| نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهتگیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد. | N-channel |
| Vds (ولتاژ درین-سورس) | 55 ولت |
| Id (جریان درین)Id (جریان درین) جریان الکتریکی است که از ترمینال درین (Drain) یک ترانزیستور MOSFET عبور میکند. | 49 آمپر |
| Pd (توان تلفشده)Pd = Power Dissipation یا توان تلفشده | 94 وات |
| Rds(on) (مقاومت درین-سورس در حالت روشنی)Rds(on) تعیینکنندهی اصلی تلفات توان رسانایی، راندمان و نیازهای مدیریت حرارتی در مدارهای سوئیچینگ قدرت بوده و به شدت به ولتاژ گیت و دمای اتصال وابسته است. | 17.5 میلی اهم |
| Tj (دمای اتصال)Tj: دمای اتصال، یعنی دمای اتصال نیمههادی، که معمولاً بالاترین دما است. | 55- تا 150+ درجه سانتی گراد |
| نوع پکیج | TO-220 |
| جنس بدنه | بدنه فلزی |
| تعداد پایه ها | 3 پایه |
| جنس نیمه هادی | سیلیکون Si |
| نوع مونتاژ | THDTHD (Through-Hole Technology) فناوری از طریق سوراخ گذاری یا سوراخعمیق |
| برند محصول | Infineon Technologies AG |
هنوز حساب کاربری ندارید؟
ایجاد حساب کاربری
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.