ترانزیستور MOSFET Infineon مدل IRF540NPBF
45,000 تومان
ترانزیستور MOSFET IR مدل IRFP260NPBF
260,000 تومان
ناموجود 
برند:
ترانزیستور MOSFET Advanced Power Electronics مدل AP18N50W
ترانزیستور MOSFET Advanced Power Electronics مدل AP18N50W
3,770 تومان
در انبار موجود نمی باشد
توضیح محصول
ترانزیستور MOSFET Advanced Power Electronics مدل AP18N50W
جدول مشخصات فنی
| نوع قطعه/خانواده قطعات | MOSFETترانزیستور اثر میدانی |
|---|---|
| نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهت‌گیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد. | N-channel |
| Vds (ولتاژ درین-سورس) | 500 ولت |
| Id (جریان درین)Id (جریان درین) جریان الکتریکی است که از ترمینال درین (Drain) یک ترانزیستور MOSFET عبور می‌کند. | 20 آمپر |
| Pd (توان تلف‌شده)Pd = Power Dissipation یا توان تلف‌شده | 150 وات |
| Rds(on) (مقاومت درین-سورس در حالت روشنی)Rds(on) تعیین‌کننده‌ی اصلی تلفات توان رسانایی، راندمان و نیازهای مدیریت حرارتی در مدارهای سوئیچینگ قدرت بوده و به شدت به ولتاژ گیت و دمای اتصال وابسته است. | 270 میلی اهم |
| Tj (دمای اتصال)Tj: دمای اتصال، یعنی دمای اتصال نیمه‌هادی، که معمولاً بالاترین دما است. | 55- تا 150+ درجه سانتی گراد |
| نوع پکیج | TO-3P |
| جنس بدنه | بدنه فلزی |
| تعداد پایه ها | 3 پایه |
| جنس نیمه هادی | سیلیکون Si |
| نوع مونتاژ | THDTHD (Through-Hole Technology) فناوری از طریق سوراخ گذاری یا سوراخ‌عمیق |
| برند محصول | APEC Advance POWER ELECTRONIC CORP |
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.