ترانزیستور MOSFET TOSHIBA مدل TK6A80E
55,000 تومان
ترانزیستور MOSFET ST مدل STF33N60M2
150,000 تومان
ناموجود 
برند:
ترانزیستور MOSFET Advanced Power electronic مدل AP6679GH
ترانزیستور MOSFET Advanced Power electronic مدل AP6679GH
60,000 تومان
در انبار موجود نمی باشد
توضیح محصول
ترانزیستور MOSFET Advanced Power electronic مدل AP6679GH
جدول مشخصات فنی
| نوع قطعه/خانواده قطعات | MOSFETترانزیستور اثر میدانی |
|---|---|
| نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهت‌گیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد. | P-channel |
| Vds (ولتاژ درین-سورس) | 30 ولت |
| Id (جریان درین)Id (جریان درین) جریان الکتریکی است که از ترمینال درین (Drain) یک ترانزیستور MOSFET عبور می‌کند. | 75 آمپر |
| Pd (توان تلف‌شده)Pd = Power Dissipation یا توان تلف‌شده | 89 وات |
| Rds(on) (مقاومت درین-سورس در حالت روشنی)Rds(on) تعیین‌کننده‌ی اصلی تلفات توان رسانایی، راندمان و نیازهای مدیریت حرارتی در مدارهای سوئیچینگ قدرت بوده و به شدت به ولتاژ گیت و دمای اتصال وابسته است. | 9 میلی اهم |
| Tj (دمای اتصال)Tj: دمای اتصال، یعنی دمای اتصال نیمه‌هادی، که معمولاً بالاترین دما است. | 55- تا 150+ درجه سانتی گراد |
| نوع پکیج | TO-252 |
| جنس بدنه | بدنه فلزی |
| تعداد پایه ها | 3 پایه |
| جنس نیمه هادی | سیلیکون Si |
| نوع مونتاژ | SMTSMT (Surface Mount Technology) تکنولوژی نصب سطحی |
| برند محصول | APEC Advance POWER ELECTRONIC CORP |
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.