ترانزیستور MOSFET IXYS مدل IXTQ50N20P
234,000 تومان
ترانزیستور MOSFET IR مدل IRFL110
10,000 تومان
برند:
ترانزیستور MOSFET SIEMENS مدل BUZ308
ترانزیستور MOSFET SIEMENS مدل BUZ308
60,000 تومان
1 در انبار
توضیح محصول
ترانزیستور MOSFET SIEMENS مدل BUZ308
جدول مشخصات فنی
| نوع قطعه/خانواده قطعات | MOSFETترانزیستور اثر میدانی |
|---|---|
| نوع قطبیت (Polarity type)نوع دوپینگ (Doping Type) یا نوع آلایش یا نوع قطبیت (Polarity Type) : در الکترونیک و فیزیک نیمه هادی ها به جهت‌گیری یا ماهیت شارش بار الکتریکی در یک سیستم اشاره دارد. | N-channel |
| Vds (ولتاژ درین-سورس) | 800 ولت |
| Id (جریان درین)Id (جریان درین) جریان الکتریکی است که از ترمینال درین (Drain) یک ترانزیستور MOSFET عبور می‌کند. | 2.6 آمپر |
| Pd (توان تلف‌شده)Pd = Power Dissipation یا توان تلف‌شده | 75 وات |
| Rds(on) (مقاومت درین-سورس در حالت روشنی)Rds(on) تعیین‌کننده‌ی اصلی تلفات توان رسانایی، راندمان و نیازهای مدیریت حرارتی در مدارهای سوئیچینگ قدرت بوده و به شدت به ولتاژ گیت و دمای اتصال وابسته است. | 4 اهم |
| Tj (دمای اتصال)Tj: دمای اتصال، یعنی دمای اتصال نیمه‌هادی، که معمولاً بالاترین دما است. | 55- تا 150+ درجه سانتی گراد |
| نوع پکیج | TO-247 |
| جنس بدنه | بدنه فلزی |
| تعداد پایه ها | 3 پایه |
| جنس نیمه هادی | سیلیکون Si |
| نوع مونتاژ | THDTHD (Through-Hole Technology) فناوری از طریق سوراخ گذاری یا سوراخ‌عمیق |
| برند محصول | SIEMENS AG |
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.